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J-GLOBAL ID：200902271497087690   整理番号：08A0631747

半導体製造工程に用いる液体試料中の痕跡ニッケルの,α-フリルジオキシムを用いる高感度固相比色分析によるオンサイト定量分析

On-site Determination of Trace Nickel in Liquid Samples for Semiconductor Manufacturing by Highly Sensitive Solid-phase Colorimetry with α-Furil Dioxime

著者 (5件)： MIZUGUCHI Hitoshi (Graduate School of Sci. and Engineering, Yamagata Univ.) ,  ZHANG Yan-fan (Graduate School of Sci. and Engineering, Yamagata Univ.) ,  ONODERA Hirofumi (Graduate School of Sci. and Engineering, Yamagata Univ.) ,  NISHIZAWA Saori (Graduate School of Sci. and Engineering, Yamagata Univ.) ,  SHIDA Junichi (Graduate School of Sci. and Engineering, Yamagata Univ.)
資料名： Chemistry Letters  (Chemistry Letters)
巻： 37  号： 7  ページ： 792-793 (J-STAGE)  発行年： 2008年 
JST資料番号： S0742A  ISSN： 0366-7022  CODEN： CMLTAG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 10億分の1レベルの痕跡Ni^IIのための,新規高感度比色分析の開発を行った。この手法は,α-フリルジオキシムとのオレンジ色Ni^IIキレートを効果的に膜フィルタに吸着させることにもとづいている。痕跡Ni^II分析において,硝酸ナトリウムのような塩が高濃度で共存してもこの手法は有用である。シリコンウエハ処理に用いるNaOH溶液に提案した手法を用いてよい結果が得られた。半導体製造工程で緊急に必要なオンサイトNi^II分析が可能である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ニッケル ,  痕跡分析 ,  *比色分析 ,  高感度 ,  原位置試験 ,  キレート化合物 ,  フィルタ ,  吸着 ,  硝酸ナトリウム ,  ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  水酸化ナトリウム ,  検出限界 ,  セルロースアセテート ,  ICP-MS分析 ,  妨害成分 ,  マスキング ,  エッチング液 ,  チオ硫酸塩 ,  ナトリウム化合物 ,  *酸素複素環化合物 ,  *オキシム ,  ニッケル錯体 ,  ジケトン ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： 現場試験法

分類 (2件)： 金属,合金の化学分析  (CC07040X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： α-フリルジオキシム

引用文献 (11件)：

• 1) a) I. Ishida, T. Osakabe, M. Saita, Jpn. Kokai Tokkyo Koho 2008 31,009, 2008.
•  b) M. Inoko, T. Yamashita, Jpn. Kokai Tokkyo Koho 2007 138,233, 2007.
•  c) K. Ando, Y. Hara, M. Hotta, Jpn. Kokai Tokkyo Koho 2005 1,955, 2005.
•  d) S. Miyazaki, Jpn. Kokai Tokkyo Koho 2001 250,807, 2001.
•  e) I. Uchiyama, H. Takamatsu, T. Ajito, Jpn. Kokai Tokkyo Koho 10 310,883, 1998.

タイトルに関連する用語 (9件)： 半導体製造工程 ,  液体試料 ,  痕跡 ,  ニッケル ,  α-フリルジオキシム ,  高感度 ,  固相 ,  比色分析 ,  定量分析