薄くて弱い酸化膜の関係する深いトラップに関するストレス誘起の漏れ電流モデル

KAMOHARA Shiro; KAMOHARA Shiro; HU Chenming; OKUMURA Tsugunori

文献

J-GLOBAL ID：200902272511413607 整理番号：08A0887639

薄くて弱い酸化膜の関係する深いトラップに関するストレス誘起の漏れ電流モデル

Deep-Trap Stress Induced Leakage Current Model for Nominal and Weak Oxides

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著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 47 号： 8 Issue 1 ページ： 6208-6213 発行年： 2008年08月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

伝導帯の底から3.6eVに位置する深いエネルギー準位を持つトラップを導入することによる非弾性トラップ支援のトンネリング(ITAT)に起因するストレス誘起の漏れ電流(SILC)モデルを開発した。このモデルに基づいて,二つの電場依存性,すなわちA-モードSILCに関する直接トンネリング(DT)の電場依存性,およびB-モードのSILCに関するFowler-Nordheim(FN)トンネリングの電場依存性を,共通の形を持つ解析的方程式によって説明できることが分かった。簡単な解析的方程式には,漏れ電流に最も大きく貢献するトラップの位置(MFTP)を導入した。実験結果と本稿で設定したモデルとの比較から,A-モードのSILCに関係するトラップ面密度は1×10¹⁰cm^-2で,B-モードのSILCに関係する漏れ経路の面密度は1×10²cm^-2であることが分かった。(翻訳著者抄録)

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金属-絶縁体-半導体構造

引用文献 (30件)：

D. A. Baglee and M. C. Smayling: IEDM Tech. Dig., 1985, p. 624.
K. Naruke, S. Taguchi, and M. Wada: IEDM Tech. Dig., 1988, p. 424.
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