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J-GLOBAL ID：200902272832644260   整理番号：06A0021565

円筒形の完全空乏型サラウンディングゲートMOSFETに関する簡単で解析的な二次元しきい電圧モデル

A compact, analytical two-dimensional threshold voltage model for cylindrical, fully-depleted, surrounding-gate (SG) MOSFETs

著者 (1件)： CHIANG Te-Kuang (Southern Taiwan Univ. Technol., Tainan, TWN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 20  号： 12  ページ： 1173-1178  発行年： 2005年12月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 円筒形の完全空乏型サラウンディングゲート(SG)-MOSFE...

シソーラス用語： 円筒 ,...
準シソーラス用語： 模型 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： サラウンディングゲート ,  MOSFET ,  解析 ,  しきい電圧 ,  モデル