高速電子デバイス用低誘電率窒化ほう素炭素

文献

J-GLOBAL ID：200902273336988541 整理番号：04A0709956

Boron carbon nitride film with low dielectric constant as passivation film for high speed electronic devices

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巻： 13 号： 4/8 ページ： 1135-1138 発行年： 2004年04月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

MESFETなどの周波数特性向上へのBCN膜の絶縁体適用を目...

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固体デバイス材料

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