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J-GLOBAL ID：200902273864672513   整理番号：06A0554086

半導体単層カーボンナノチューブ中の励起子に関する光Stark効果

Optical Stark Effect of Exciton in Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes
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著者 (13件)：
MATSUMOTO Shinji

MATSUMOTO Shinji について

(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)

Univ. Tokyo, Chiba, JPN について

, 
MATSUI Hiroyuki

MATSUI Hiroyuki について

(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)

Univ. Tokyo, Chiba, JPN について

, 
MAEDA Atsushi

MAEDA Atsushi について

(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)

Univ. Tokyo, Chiba, JPN について

, 
TAKENOBU Taishi

TAKENOBU Taishi について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
TAKENOBU Taishi

TAKENOBU Taishi について

(JST-CREST, Saitama, JPN)

JST-CREST, Saitama, JPN について

, 
IWASA Yoshihiro

IWASA Yoshihiro について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
IWASA Yoshihiro

IWASA Yoshihiro について

(JST-CREST, Saitama, JPN)

JST-CREST, Saitama, JPN について

, 
MIYATA Yasumitsu

MIYATA Yasumitsu について

(Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)

Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN について

, 
MIYATA Yasumitsu

MIYATA Yasumitsu について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

, 
KATAURA Hiromichi

KATAURA Hiromichi について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

, 
MANIWA Yutaka

MANIWA Yutaka について

(JST-CREST, Saitama, JPN)

JST-CREST, Saitama, JPN について

, 
MANIWA Yutaka

MANIWA Yutaka について

(Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)

Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN について

, 
OKAMOTO Hiroshi

OKAMOTO Hiroshi について

(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)

Univ. Tokyo, Chiba, JPN について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters について


巻： 45  号： 20-23  ページ： L513-L515  発行年： 2006年06月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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孤立した半導体,単層カーボンナノチューブ(SWNT)において...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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半導体

半導体 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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光スイッチング

光スイッチング について

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分類 (2件)：
分類
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励起子 
(BM02120E)

励起子 について

,  原子・分子のクラスタ 
(BH09030O)

原子・分子のクラスタ について

引用文献 (18件)：
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タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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単層カーボンナノチューブ

単層カーボンナノチューブ について

, 
励起子

励起子 について

, 
Stark効果

Stark効果 について


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