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J-GLOBAL ID：200902274026948775   整理番号：09A0735547

22nmハーフピッチのEUVリソグラフィーの開発と研究への挑戦

EUV Lithography Development and Research Challenges for the 22nm Half-pitch

著者 (1件)： WURM Stefan (SEMATECH, NY, USA)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 22  号： 1  ページ： 31-42  発行年： 2009年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極端紫外線リソグラフィー(EUVL)は,22nmのハーフピッチノードでパターン形成を行なう高容量半導体リソグラフィーの主要な手法である。最も積極的な半導体製造業者は,2011/12でのこの技術のパイロットライン導入と2013/14での高容量製造への組み入れを狙っている。このためには,光源,マスク,レジストなどの技術を支えるサプライ・チェーンのインフラ基盤を必要とし,パイロットライン露光ツールがいったん顧客に提供される必要がある。まだ改良が必要であるが,基盤技術の現在の準備状態は,目標とするパイロットラインの組み入れ期日をサポート可能なことを示す。しかしながら,高容量製造の導入をサポートするには,より重要な開発として,もっと技術的及びビジネス的挑戦に取り組む必要がある。高信頼度高出力EUV源の実証,サブ-20nm欠陥検査をサポートできる商業マスクツールインフラ基盤の可能性,及び要件の再吟味について示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *極端紫外線 ,  光源 ,  技術開発 ,  パターン形成 ,  半導体集積回路 ,  欠陥検査 ,  フォトレジスト ,  露光 ,  走査電子顕微鏡 ,  *フォトリソグラフィー ,  フォトマスク

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (37件)：

• H. Kinoshita and O. Wood, EUV Liyhography: A Historical Perspective, in: V. Bakshi (Ed), EUV Lithography, SPIE Press, chapter 1(2008).
• S. Wurm and C. W. Gwyn, EUV Lithography, in: K. Suzuki (Ed.), Microlithography, second ed., CRC Press/Taylor & Francis Information Group, Boca Raton, FL, chapter 8(2007).
• International Technology Roadmap for Semiconductors, http://public.itrs.net/.
• A. Wüest, A. J. Hazelton, and G. Hughes, Proc. SPIE 7271(2009)72710Y
• C. Gwyn and S. Wurm, EUV LLC-A Historical Perspective, in: V. Bakshi (Ed.), EUV Lithography, SPIE Press, chapter 2(2008).

タイトルに関連する用語 (4件)： ハーフピッチ ,  EUVリソグラフィー ,  開発 ,  研究