GD-OES深さプロファイリングとGIXR測定によるSi基板上のSiO<sub>2</sub>膜の解析

SUZUKI Shigeru; SATO Shigeo; KAKITA Kazutoshi

文献

J-GLOBAL ID：200902274043928362 整理番号：08A1139446

GD-OES深さプロファイリングとGIXR測定によるSi基板上のSiO₂膜の解析

Analysis of SiO₂ Films on Si Substrate by GD-OES Depth Profiling and GIXR Measurements

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=08A1139446&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=L3852A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 14 号： 4 ページ： 416-419 発行年： 2008年10月31日
JST資料番号： L3852A ISSN： 1341-1756 CODEN： JSANFX 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

空気中でケイ素ウェハをアニーリングすることにより作製したSiO₂/Si膜についてGD-OES深さプロファイリングを行った。GD-OESデータより,酸化物膜の組成と厚さの間の関係を求めた。またケイ素基板上の酸化物膜の厚さと密度を,すれすれ入射X線反射(GIXR)を用いて求めた。GIXRデータから評価した密度を,GD-OES深さプロフィル解析で用いた値と比較した。GD-OES深さフロフィルから計算した酸化物膜の厚さをGIXR解析により評価したものと比較した。これらの異なる結果に基づいて,GD-OESによる深さプロファイリングの有効性を検討した。

, , , , , , , ,

酸化物薄膜

引用文献 (5件)：

ISO/TC201/SC8 14707.
S. Suzuki and K Suzuki,“Glow Discharge Optical Emission Spectrometry”, ed. By R. Payling, D. Jones and A. Bengtson, John-Wiley, New York 1997, p. 627.
R. W. James:“The Optical Principles of the Diffraction of X-rays”, G. Bells, London,(1954).
W. C. Marra, P. Eisenberger and A. Cho: J. Appl. Phys., 50(1979), 6927.
S. Suzuki and K.Kakita: J. Surf. Anal., 12(2005), 174.

, , ,

前のページに戻る

GD-OES深さプロファイリングとGIXR測定によるSi基板上のSiO2膜の解析

GD-OES深さプロファイリングとGIXR測定によるSi基板上のSiO₂膜の解析