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J-GLOBAL ID：200902274977880062   整理番号：07A1191176

酸素ラジカルを用いた反応性RFマグネトロンスパッタリングによるTiO₂薄膜の成長

Growth of TiO₂ thin film by reactive RF magnetron sputtering using oxygen radical

著者 (7件)： OGAWA H. (Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN) ,  HIGUCHI T. (Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN) ,  NAKAMURA A. (Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN) ,  TOKITA S. (Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN) ,  MIYAZAKI D. (Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN) ,  HATTORI T. (Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN) ,  TSUKAMOTO T. (Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 449  号： 1-2  ページ： 375-378  発行年： 2008年01月31日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiO₂薄膜を酸素ラジカルを用いた反応...

シソーラス用語： *酸化チタン ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸素ラジカル ,  反応性 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  TiO2 ,  薄膜 ,  成長