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J-GLOBAL ID：200902275080458810   整理番号：05A0581634

HF化学エッチングにより調べたHfO2薄膜のナノメータスケールでの結晶化

Nanometer-scale crystallization of thin HfO2 films studied by HF-chemical etching
著者 (6件)：
FUJII Shinji

FUJII Shinji について

(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Tsukuba, JPN)

Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Tsukuba, JPN について

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MIYATA Noriyuki

MIYATA Noriyuki について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (ASRC, AIST), Tsukuba, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (ASRC, AIST), Tsukuba, JPN について

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MIGITA Shinji

MIGITA Shinji について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (ASRC, AIST), Tsukuba, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (ASRC, AIST), Tsukuba, JPN について

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HORIKAWA Tsuyoshi

HORIKAWA Tsuyoshi について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (ASRC, AIST), Tsukuba, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (ASRC, AIST), Tsukuba, JPN について

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TORIUMI Akira

TORIUMI Akira について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (ASRC, AIST), Tsukuba, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (ASRC, AIST), Tsukuba, JPN について

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TORIUMI Akira

TORIUMI Akira について

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 86  号： 21  ページ： 212907.1-212907.3  発行年： 2005年05月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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MOCVDによりSi(100)基板上に標記の薄膜を成長させて...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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絶縁膜

絶縁膜 について

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分類 (1件)：
分類
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酸化物薄膜 
(BK14050P)

酸化物薄膜 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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HF

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化学エッチング

化学エッチング について

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HfO2

HfO2 について

, 
薄膜

薄膜 について

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結晶化

結晶化 について


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