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J-GLOBAL ID：200902275195611875   整理番号：09A0458658

容量電圧特性を用いた空気中のペンタセン系MOSダイオードの安定性に関する研究

Study on Stability of Pentacene-Based Metal-Oxide-Semiconductor Diodes in Air Using Capacitance-Voltage Characteristics

著者 (5件)： AKHTARUZZAMAN Md. (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  OHMI Shun-ichiro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  NISHIDA Jun-ichi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YAMASHITA Yoshiro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  ISHIWARA Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 4,Issue 2  ページ： 04C178.1-04C178.3  発行年： 2009年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ボトムゲートペンタセン系MOSダイオードの安定性を空気中で30日間にわたり調べた。作製したペンタセン系MOSダイオードに表面処理をしない場合,空気中のペンタセン膜の容量電圧特性は僅かなヒステリシス(36mV)を示した。しかし30日後,ヒステリシス幅は100mVに広がり,フラットバンド電圧が正電圧側に偏移し,湿度又は酸素により電子捕獲効果が強くなった。これによりペンタセン系MOSダイオード特性の安定性は徐々に劣化した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 容量電圧特性 ,  *ダイオード ,  MOS構造 ,  *安定性 ,  ヒステリシス ,  電圧 ,  電子捕獲 ,  *有機半導体 ,  半導体材料 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： フラットバンド電圧

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

物質索引 (1件)： ペンタセン

引用文献 (20件)：

• C. D. Dimitrakopoulos and D. J. Mascaro: IBM J. Res. Dev.45(2001)11.
• J. Zaumseil and H. Sirringhaus: Chem. Rev.107(2007)1296.
• H. Kawaguchi, T. Someya, T. Sekitani, and T. Sakurai: IEEE J. Solid-State Circuits 40(2005)177.
• M. Kitamura and Y. Arakawa: J. Phys.: Condens. Matter 20(2008)184011.
• J. H. Na, M. Kitamura, and Y. Arakawa: Appl. Phys. Express 1(2008)021803.

タイトルに関連する用語 (6件)： 容量電圧特性 ,  空気中 ,  ペンタセン ,  MOSダイオード ,  安定性 ,  研究