文献

J-GLOBAL ID：200902275244085076   整理番号：03A0398667

パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT

Novel high-performance TFTs fabricated by selectively enlarging laser x’tallization(SELAX) technology

著者 (5件)： 山口伸也 (日立 中研) ,  波多野睦子 (日立 中研) ,  PARK S-K (日立 中研) ,  田井光春 (日立 中研) ,  芝健夫 (日立 中研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 103  号： 5(SDM2003 1-7)  ページ： 23-28  発行年： 2003年04月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パルス変調CWレーザ(LD-pumped Nd:YVO4 S...

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0398667&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： パルス変調 ,  CWレーザ ,  結晶化 ,  法 ,  高移動度 ,  低温 ,  ポリSi ,  TFT