文献
J-GLOBAL ID:200902275244085076   整理番号:03A0398667

パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT

Novel high-performance TFTs fabricated by selectively enlarging laser x’tallization(SELAX) technology
著者 (5件):
資料名:
巻: 103  号: 5(SDM2003 1-7)  ページ: 23-28  発行年: 2003年04月14日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
パルス変調CWレーザ(LD-pumped Nd:YVO4 S...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0398667&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  半導体の結晶成長 

前のページに戻る