酸化物半導体中に発生させた熱生成正孔を用いるプラスチック廃棄物の完全処理

文献

J-GLOBAL ID：200902276263514812 整理番号：04A0743987

Complete Disposal of Plastic Wastes Utilizing Thermally-generated Holes in Oxide Semiconductors

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資料名：
巻： 43 号： 5 ページ： 310-312 発行年： 2004年09月10日
JST資料番号： G0323A ISSN： 1344-4425 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

廃光ディスクのポリカーボネート(PC)処理を目的として標記の...

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高分子廃棄物処理 , 高分子と低分子との反応

引用文献 (4件)：

1) R. Wang, K. Hashimoto, A. Fujishima, M. Chikuni, E. Kojima, A. Kitamura, M. Shimohigoshi and T. Watanabe: Light-induced amphiphilic surfaces, Nature, 388, 431-432 (1997).
2) C. Kittel: Introduction to Solid State Physics, sixth edition, Chap. 8, John Wiley&Sons, Inc. (1986).
3) J. Mizuguchi: Titanium dioxide as a combustion-assisting agent, J. Electrochem. Soc. 148, J55-58 (2001).
4) Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, p.661, Vol.21, VCH Verlag (1982).

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