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J-GLOBAL ID：200902277324195398   整理番号：03A0532751

6H-SiC上の螺旋状成長へのC/Si比の影響

Effect of C/Si Ratio on Spiral Growth on 6H-SiC (0001)
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著者 (3件)：
NAKAMURA S

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(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について

, 
KIMOTO T

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(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について

, 
MATSUNAMI H

MATSUNAMI H について

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters について


巻： 42  号： 7B  ページ： L846-L848  発行年： 2003年07月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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化学蒸着(CVD)による6H-SiC(0001)上の螺旋状成...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*炭化ケイ素

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6H-SiC

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分類 (2件)：
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半導体薄膜 
(BK14040E)

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,  半導体の表面構造 
(BK15030A)

半導体の表面構造 について

物質索引 (1件)：
物質索引
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引用文献 (13件)：
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タイトルに関連する用語 (4件)：
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6H-SiC

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成長

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, 
SI比

SI比 について


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