文献
J-GLOBAL ID:200902277346039144
整理番号:09A0424761
F2表面処理と窒素ラジカル処理したHfO2/GeのMIS構造の電気的特性評価
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著者 (5件):
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資料名:
巻:
56th
号:
2
ページ:
844
発行年:
2009年03月30日
JST資料番号:
Y0054A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (1件):
分類
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金属-絶縁体-半導体構造
タイトルに関連する用語 (8件):
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