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J-GLOBAL ID：200902277809347218   整理番号：09A1035463

二段階熱処理によるn型及びp型4H-SiCの主要深準位の排除

Elimination of the Major Deep Levels in n- and p-Type 4H-SiC by Two-Step Thermal Treatment

著者 (2件)： HIYOSHI Toru (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 9  ページ： 091101.1-091101.3  発行年： 2009年09月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1150~1300°Cにおける4H-SiCの熱酸化により,Z_1/2及びEH_6/7濃度を<1×10¹¹cm^-3に低下させ得る。しかし,酸化により高濃度のHK0中心(E_v+0.78eV)が生成される。Ar中1550°Cの付加的焼なましはHK0中心を排除できる。従って,全ての深準位は二段階熱処理により排除できる。深準位の深さ分布に基づいて,欠陥の生成と排除に対するモデルを提唱した。本方法により,4H-SiCエピタクシー層におけるキャリア寿命は0.64μs(成長させたまま)から4.52μsに改善した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  半導体材料 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  *深い準位 ,  *焼なまし ,  熱酸化 ,  エピタクシー ,  キャリア寿命 ,  不純物中心
準シソーラス用語： *4H-SiC

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (30件)：

• MATSUNAMI, H. Mater. Sci. Eng. R. 1997, 20, 125
• COOPER, J. A. Jr. IEEE Trans. Electron Devices. 2002, 49, 658
• LENDENMANN, H. Mater. Sci. Forum. 2000, 338-342, 1423
• SINGH, R. Mater. Sci. Forum. 2002, 389-393, 1265
• SUGAWARA, Y. Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, 2004. 2004, 365

タイトルに関連する用語 (5件)： 段階 ,  熱処理 ,  4H-SiC ,  深準位 ,  排除