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J-GLOBAL ID:200902277900980870   整理番号:08A0859721

薄膜ピセンを用いる空気援助高性能電場効果トランジスタ

Air-assisted High-performance Field-effect Transistor with Thin Films of Picene
著者 (6件):
資料名:
巻: 130  号: 32  ページ: 10470-10471  発行年: 2008年08月13日 
JST資料番号: C0254A  ISSN: 0002-7863  CODEN: JACSAT  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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表面にSO2相をもつケイ素基板表面にピセン薄膜を蒸着し,金蒸着によりソース/ドレイン電極を積層して有機FETを作製した。原子間力顕微鏡によりキャラクタリゼーションを行った。キャリア移動度μ>1cm2/Vsが得られ,O2処理により移動度およびオンオフ比は改善された。純粋のO2では増強効果が小さいことから,H2O(OH-またはO2-)援助による増強機構を推定した。
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分類 (2件):
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有機化合物の薄膜  ,  トランジスタ 
物質索引 (1件):
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