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J-GLOBAL ID：200902278041928727   整理番号：05A0538208

多孔質無機低誘電定数材料を用いた低損傷ダマスカスパターン形成

Low-Damage Damascene Patterning Using Porous Inorganic Low-Dielectric-Constant Materials

著者 (5件)： YONEKURA Kazumasa (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  GOTO Kinya (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  MATSUURA Masazumi (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  FUJIWARA Nobuo (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  TSUJIMOTO Kazunori (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 5A  ページ： 2976-2981  発行年： 2005年05月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多孔質メチルシルセスキオキサン(MSQ)および多孔質化学蒸着...

シソーラス用語： *誘電体 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： オクタメチルシルセスキオキサン

引用文献 (8件)：

• 1) Y. H. Kim, S. K. Lee and H. J. Kim: J. Vac. Sci. & Technol. A <B>18</B> (2000) 1216.
• 2) K. Yonekura, S. Sakamori, K. Goto, M. Matsuura, N. Fujiwara and M. Yoneda: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>22</B> (2004) 548.
• 3) T. C. Chang, P. T. Liu, Y. J. Mei, Y. S. Mor, T. H. Perng, Y. L. Yang and S. M. Sze: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>17</B> (1999) 2325.
• 4) P. T. Liu, T. C. Chang, Y. S. Mor and S. M. Sze: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 3482.
• 5) Y. S. Kim, H. Nguyen, M. Dahimene, C. Bjorkman and H. Shan: Proc. Int. Symp. Dry Process, Tokyo, 2000, p. 245.

タイトルに関連する用語 (5件)： 多孔質無機 ,  低誘電 ,  定数 ,  損傷 ,  パターン形成