パルスレーザ・アニーリングで作製したポリSiGe薄膜の電気的性質と構造

WATAKABE H; SAMESHIMA T; KANNO H; SADOH T; MIYAO M

文献

J-GLOBAL ID：200902278477501915 整理番号：04A0460508

パルスレーザ・アニーリングで作製したポリSiGe薄膜の電気的性質と構造

Electrical and structural properties of poly-SiGe film formed by pulsed-laser annealing

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資料名：
巻： 95 号： 11,Pt.1 ページ： 6457-6461 発行年： 2004年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記薄膜の電気的性質と構造を調べた。過渡伝導率測定によるレー...

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半導体薄膜

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