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J-GLOBAL ID：200902280339859617   整理番号：08A0280205

陽電子消滅法を用いたポーラスLow-k膜の空孔連結性と吸湿特性の相関

Pore-Connectivity Dependence of Moisture Absorption into Porous Low-k Films by Positron-Annihilation Lifetime Spectroscopy

著者 (6件)： 伊藤文則 (NEC デバイスプラットフォーム研) ,  竹内常雄 (NEC デバイスプラットフォーム研) ,  山本博規 (NEC デバイスプラットフォーム研) ,  大平俊行 (産業技術総合研) ,  鈴木良一 (産業技術総合研) ,  林喜宏 (NEC デバイスプラットフォーム研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 107  号： 481(SDM2007 263-272)  ページ： 21-24  発行年： 2008年02月01日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 陽電子消滅法(PALS)を用いてポーラスLow-k膜中の吸湿量におけるポアサイズおよびポア連結性依存性を評価した。ポアサイズとポア連結性の減少によりポーラス膜はPCT試験等のような高温多湿環境においても極めて強い吸湿耐性を示すことがわかった。ポア連結性の低減(クローズドポア化)は45nm以降の高信頼性ポーラス材料を開発する上で極めて有効である。(著者抄録)

シソーラス用語： 陽電子消滅 ,  多孔質体 ,  誘電率 ,  *絶縁膜 ,  細孔 ,  連結性 ,  吸湿性 ,  相関 ,  *誘電体 ,  細孔径

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  誘電体一般  (BM05010F)

引用文献 (10件)：

• ITO, F. Proceedings of AMC2004. 2004, 381
• TADA, M. IEDM Technical Digest, 2003. 2003
• JACOBS, T. Proceedings of IITC2002. 2002, 236
• HIJIOKA, K. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, 1807
• TAGAMI, M. Proceedings of IITC2005. 2005, 12

タイトルに関連する用語 (7件)： 陽電子消滅法 ,  ポーラス ,  low-k膜 ,  空孔 ,  連結性 ,  吸湿 ,  相関