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J-GLOBAL ID：200902280833331269   整理番号：08A1242526

最先端の表面・界面評価技術 先端透過型電子顕微鏡法を用いたIII族窒化物半導体ヘテロ界面評価

著者 (1件)： 竹口雅樹 (物質・材料研究機構 ナノ計測セ)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 59  号： 12  ページ： 783-788  発行年： 2008年12月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高角度円環暗視野-走査型透過電子顕微鏡法(HAADF-STEM;High Angle Annular Dark Field Scanning Transmission Electron Microscopy)によりGaN上のInGaNおよびAlInGaN成長膜の組成揺らぎおよび界面急峻性の評価および電子線ホログラフィーによるInGaN/GaNの分極誘起電界およびAlInGaN/GaNヘテロ界面直下の二次元電子ガス(2DEG)の観察例を紹介した。CMP法による観察用のくさび形試料の調製について説明した。InGaN/GaN量子井戸構造およびAlInGaN/GaN界面の観察の結果を提示した。界面部分の電子線ホログラフィーの観察結果から得た電荷密度を示した。

シソーラス用語： *透過型走査電子顕微鏡 ,  界面 ,  *インジウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  半導体薄膜 ,  ホログラフィー ,  *ゆらぎ ,  *ヘテロ接合 ,  *二次元電子ガス ,  量子井戸 ,  試料調製 ,  化学研磨 ,  化学機械研磨 ,  *HAADF-STEM ,  電子線ホログラフィー ,  *濃度ゆらぎ ,  *窒化インジウムガリウム ,  機械工作
準シソーラス用語： *GaN ,  *InGaN

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  顕微鏡法  (BK01040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (24件)：

• 1) 赤崎 勇 編著;III族窒化物半導体 (培風館,1999).
• 2) T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, F. Sakai, H. Amano, I Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka and N. Yamada ; Appl. Phys. Lett., 73, 1691 (1998).
• 3) P. M. Voyles, D. A. Muller, J. L. Grazul, P. H. Citrin and H.-J. L. Gossmann ; Nature, 416, 826 (2002).
• 4) S. Wang, A. Y. Borisevich, S. N. Rashkeev, M. V. Glazoff, K. Sohlberg, S. J. Pennycook and S. T.Pantelides ; Nature Materials, 3, 143 (2004).
• 5) N. Shibata, S. J. Pennycook, T. R. Gosnell, G. S. Painter, W. A. Shelton and P. F. Becher ; Nature, 428, 730 (2004).

タイトルに関連する用語 (7件)： 最先端 ,  界面 ,  評価 ,  透過型電子顕微鏡法 ,  III族 ,  窒化物半導体 ,  ヘテロ界面