文献

J-GLOBAL ID：200902280855727000   整理番号：05A1022828

その場ひ素ドープ多結晶シリコン膜形成のための高速回転ディスクCVDプロセス

High-Speed Rotating-Disk Chemical Vapor Deposition Process for In-Situ Arsenic-Doped Polycrystalline Silicon Films

著者 (7件)： TERAI Fujio (Shibaura Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  TERAI Fujio (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KOBAYASHI Hiroaki (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KATSUI Shuji (Toshiba Corp., Ooita, JPN) ,  TAMAOKI Naoki (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAGATOMO Takao (Shibaura Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  HOMMA Tetsuya (Shibaura Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 11  ページ： 7883-7888  発行年： 2005年11月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶シリコン膜用に標記CVD装置を開発した。この装置では任...

シソーラス用語： 化学蒸着 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (21件)：

• FAGGIN, F. Solid-State Electron. 1970, 13, 1125
• BARBE, D. F. Proc. IEEE. 1975, 63, 38
• JOUBERT, P. J. Electrochem. Soc. 1987, 134, 2541
• KUROKAWA, H. J. Electrochem. Soc. 1982, 129, 2620
• MATSUO, N. Jpn. J. Appl. Phys. 1989, 28, L1866

タイトルに関連する用語 (6件)： ひ素 ,  ドープ ,  多結晶シリコン膜 ,  回転ディスク ,  CVD ,  プロセス