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J-GLOBAL ID：200902283363760167   整理番号：04A0910859

Bドープ(100)ダイヤモンド水素終端表面を利用したFETの作成

著者 (7件)： 斉藤丈靖 (産総研 ダイヤセ) ,  小倉政彦 (産総研 ダイヤセ) ,  PARK K-H (産総研 ダイヤセ) ,  平間一行 (早稲田大 理工) ,  梅沢仁 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早稲田大 理工) ,  大串秀世 (産総研 ダイヤセ)
資料名： ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
巻： 18th  ページ： 200-201  発行年： 2004年11月29日 
JST資料番号： L1241A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 水素化 ,...
準シソーラス用語： 水素終端表面

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  ダイヤモンド ,  水素終端 ,  FET