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J-GLOBAL ID：200902283670782119   整理番号：09A1257055

浮動薄膜複写法で堆積したPoly(3-hexylthiophene)薄膜の輸送特性の強化

Enhancement of Transport Characteristics in Poly(3-hexylthiophene) Films Deposited with Floating Film Transfer Method

著者 (6件)： MORITA Takeomi (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  SINGH Vipul (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  NAGAMATSU Shuichi (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  OKU Shinya (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  TAKASHIMA Wataru (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  KANETO Keiichi (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 11  ページ： 111502.1-111502.3  発行年： 2009年11月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機薄膜半導体の堆積に新しい溶液処理浮動薄膜複写法(FTM)を提案した。 poly(3-hexylthiophene)(P3HT)薄膜の輸送特性を評価するためにFTMとスピン-コーティング法で堆積した有機電界効果トランジスタ(OFETs)を製作した。スピン-被覆薄膜と比較してホール移動度の1桁の強化をFTM薄膜で見つけた。X線回折プロフィールと同様に吸収スペクトルが基板に対して直角なFTMのP3HTで,よく成長した薄板構造を表した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *有機半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  Hall移動度 ,  スピンコーティング

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： 3-ヘキシルチオフェン

引用文献 (16件)：

• SIRRINGHAUS, H. Nature. 1999, 401, 685
• WANG, G. J. Appl. Phys. 2003, 93, 6137
• FU, Y. Org. Electron. 2009, 10, 883
• VERILHAC, J. Synth. Met. 2006, 156, 815
• KLINE, R. J. Macromolecules. 2005, 38, 3312

タイトルに関連する用語 (6件)： 浮動 ,  薄膜 ,  複写 ,  堆積 ,  輸送特性 ,  強化