文献

J-GLOBAL ID：200902283829639290   整理番号：08A0499654

IR陰極ルミネセンスにより観測したInNにおける貫通転位と非放射性再結合中心の間の相関

Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence

著者 (7件)： AKAGI T. (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  KOSAKA K. (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  HARUI S. (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  MUTO D. (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NAOI H. (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKI T. (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Y. (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 37  号： 5  ページ： 603-606  発行年： 2008年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 赤外線(IR)陰極ルミネセンス(CL)分光分析とマッピングを用いて,InN膜内の貫通転位(TD)と非放射性再結合中心の間の相関を調べた。RF-MBEにより,低温成長したInNバッファ層をもつ窒化(0001)サファイア基板上に試料を作製した。試料は10⁸~10⁹cm^-2のCLダークスポットを示し,TDの密度が高いほど,ダークスポットの密度が高かった。深さ依存CL測定により,このダークスポットは,TDと同様に膜内にほぼ垂直に配列していることが分かった。マイクロファセットInNテンプレート上に再成長したInNの断面CL画像から,TDがCLダーク領域の原因でありうることを示唆した。これらにより,TDは,InN内の非放射性再結合中心として作用すると考える。

シソーラス用語： 赤外線画像 ,  陰極線ルミネセンス ,  窒化インジウム ,  *貫通転位 ,  *再結合中心 ,  相関 ,  *半導体薄膜 ,  点 ,  電子顕微鏡観察 ,  *半導体材料
準シソーラス用語： ダークスポット ,  非放射性再結合中心

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ir ,  陰極ルミネセンス ,  観測 ,  InN ,  貫通転位 ,  放射性 ,  再結合中心 ,  相関