直井弘之

ナオイヒロユキ | Naoi Hiroyuki

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (3件)：電気電子材料工学 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (8件)：ヘテロ構造 , 新機能材料 , エピタキシャル成長 , 半導体 , Heterostructure , New functional materials , Epitaxy , Semiconductor

競争的資金等の研究課題 (7件)：

2012 - 2015 窒化物半導体の変調エピタキシャル成長と深紫外発光制御
2009 - 2011 アンモニア触媒分解式ハイドライド気相成長法を用いた窒化アルミニウムの高速成長
2006 - 2010 RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成
2006 - 2008 InNおよび関連混晶の高度化RF-MBE成長技術の開発と電子・光物性制御の研究
2007 - InN関連混晶半導体のバンドギャップエネルギーに関する研究

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論文 (36件)：

Hiroyuki Naoi, Shion Iwai, Rinko Ohara. Bandgap energies of cubic AlxIn1-xNySb1-y calculated by means of the dielectric method. MRS Advances. 2022. 7. 25-26. 528-532
Toshiyuki Yamaguchi, Hiroya Ogawa, Mitsuki Nakashima, Hiroyuki Naoi, Hideaki Araki, Kazuo Jimbo, Hironori Katagiri, Junji Sasano, Masanobu Izaki. Fabrication of Cu2ZnSn(S, Se)4 thin-film solar cells by sulfurization using Cu2ZnSnSe4, NaF and KF compounds. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. SG. SGGF11-1-SGGF11-6
Toshiyuki Yamaguchi, Mitsuki Nakashima, Kazuki Uenishi, Hiroyuki Naoi, Hideaki Araki, Hironori Katagiri, Junji Sasano, Masanobu Izaki. Fabrication of Cu2ZnSn(S,Se)4 thin-film solar cells by sulfurization using Cu2ZnSnSe4 and KF compounds. Japanese Journal of Applied Physics. 2019. 58. SBBF03-1-SBBF03-5
Hiroyuki Naoi, Takeyuki Matsumoto. Bandgap Energies of Cubic AlxGa1-xNyAs1-y Calculated by Means of the Dielectric Method. MRS Advances. 2016. 1. 2. 175-180
T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, D. Muto, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi. Correlation between threading dislocations and nonradiative recombination centers in InN observed by IR cathodoluminescence. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. 2008. 37. 5. 603-606

MISC (45件)：

D. Muto, H. Naoi, S. Takado, T. Araki, Y. Nanishi. Study on growth of Mg-doped N-polar InN by RF-MBE and its electrical properties. 2007 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Conference Proceedings. 2007. 169-170
Taihei Yamaguchi, Tsutomu Araki, Hiroyuki Naoi, Yasushi Nanishi. Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE. Materials Research Society Symposium Proceedings. 2007. 955. I07-40
Daisuke Muto, Hiroyuki Naoi, Shinya Takado, Hyunseok Na, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi. Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE. Materials Research Society Symposium Proceedings. 2007. 955. I08-01
T. V. Shubina, M. M. Glazov, S. V. Ivanov, A. Vasson, J. Leymarie, B. Monemar, T. Araki, H. Naoi, Y. Nanishi. Effects of non-stoichiometry and compensation on fundamental parameters of heavily-doped InN. PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007. 2007. 4. 7. 2474-+
S. Watanabe, Y. Kumagai, A. Tsuyuguchi, H. Na, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi. Microstructure of A-plane InN grown on R-plane sapphire by ECR-MBE. PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007. 2007. 4. 7. 2556-+

特許 (7件)：

Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method
Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method
Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method
気相成長装置及び気相成長方法
Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method

講演・口頭発表等 (186件)：

硫化法によるCZTSSe薄膜太陽電池における硫化開始温度の検討
(令和3年電気関係学会関西連合大会(G6-2) 2021)
Bandgap Energies of Cubic AlxIn1-xNySb1-y Calculated by Means of the dielectric Method
(2021 MRS Fall Meeting & Exhibits (EQ13.16.07) 2021)
高温硫化を用いた3S法によるCZTSSe薄膜太陽電池の作製
(日本学術振興会第175委員会第17回次世代の太陽光発電システムシンポジウム(PD-16))
Cu2ZnSn(S,Se)4 thin-film solar cells prepared by sulfurization using Cu2ZnSnSe4, NaF and KF compounds
(2019 International Conference on Solid State Devices and Materials)
Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽電池におけるプリカーサ蒸着時の基板温度と硫化温度の影響
(日本学術振興会第175委員会第16回次世代の太陽光発電システムシンポジウム)

学歴 (6件)：

- 2001 徳島大学工学研究科物質工学専攻
- 2001 徳島大学
- 1995 徳島大学工学研究科電気電子工学専攻
- 1995 徳島大学
- 1993 徳島大学工学部電気電子工学科

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学位 (1件)：

博士(工学) (徳島大学)

所属学会 (7件)：

Materials Research Society , 電子情報通信学会 , 応用物理学会 , Materials Research Society , Information and Communication Engineers , The Institute of Electronics , The Japan Society of Applied Physics

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