研究者
J-GLOBAL ID:200901069548043237   更新日: 2020年09月01日

直井 弘之

ナオイ ヒロユキ | Naoi Hiroyuki
所属機関・部署:
職名: 准教授
研究分野 (6件): 電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性 ,  電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (8件): ヘテロ構造 ,  新機能材料 ,  エピタキシャル成長 ,  半導体 ,  Heterostructure ,  New functional materials ,  Epitaxy ,  Semiconductor
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • 2007 - InN関連混晶半導体のバンドギャップエネルギーに関する研究
  • 2007 - Bandgap energy of InN-related alloy semiconductors
論文 (1件):
  • Hiroyuki Naoi, Takeyuki Matsumoto. Bandgap Energies of Cubic AlxGa1-xNyAs1-y Calculated by Means of the Dielectric Method. MRS Advances. 2016. 1. 2. 175-180
MISC (112件):
特許 (7件):
  • Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method
  • Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method
  • Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method
  • 気相成長装置及び気相成長方法
  • Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method
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講演・口頭発表等 (179件):
  • Bandgap Energies of Cubic AlxGa1-xNyAs1-y Calculated by Means of the Dielectric Method
    (2015 MRS Fall Meeting & Exhibits 2015)
  • MOVPE法による選択成長を用いたGaN基板の反り制御
    (2011年(平成23年)春季 第58回応用物理学関係連合講演会 2011)
  • 深溝付きGaAs基板上へのGaAlAsの選択MOCVD成長
    (1993年(平成5年)秋季 第54回応用物理学会学術講演会)
  • 溝付きSi基板上へのGaAsの選択MOCVD成長
    (1994年(平成6年)秋季 第55回応用物理学会学術講演会)
  • Si基板上微小溝へのGaAsの選択MOCVD成長
    (平成6年度電気関係学会四国支部連合大会)
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学歴 (6件):
  • - 2001 徳島大学 物質工学専攻
  • - 2001 徳島大学
  • - 1995 徳島大学 電気電子工学専攻
  • - 1995 徳島大学
  • - 1993 徳島大学 電気電子工学科
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学位 (1件):
  • 博士(工学) (徳島大学)
所属学会 (7件):
Materials Research Society ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会 ,  Materials Research Society ,  Information and Communication Engineers ,  The Institute of Electronics ,  The Japan Society of Applied Physics
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