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J-GLOBAL ID：200902284309683552   整理番号：03A0552833

化学的気相成長法によるほぼ軸上の(0001)面における6H-SiCNホモエピタクシー 第2部:表面ステップの変化

Homoepitaxy of 6H-SiC on nearly on-axis (0001) faces by chemical vapor deposition Part II: Evolution of surface steps

著者 (3件)： NAKAMURA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 256  号： 3/4  ページ： 347-351  発行年： 2003年09月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 〈01-10〉傾斜した6H-SiC(0001)面上に形成され...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 化学的気相成長法 ,  ホモエピタクシー ,  表面ステップ