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J-GLOBAL ID：200902284427395880   整理番号：06A0266716

ダイヤモンドへのイオン照射による局所低抵抗層の形成とその応用

著者 (10件)： 小出敬 (早稲田大 理工) ,  新井達也 (早稲田大 理工) ,  目島壮一 (早稲田大 理工) ,  平間一行 (早稲田大 理工) ,  SONG K. S. (早稲田大 理工) ,  FERRER D. (早稲田大 理工) ,  品田賢宏 (早稲田大 理工) ,  大泊巌 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (NEDO)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 53rd  号： 2  ページ： 623  発行年： 2006年03月22日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイヤモンド ,  イオン照射 ,  低抵抗 ,  応用