SiN<sub>x</sub>/CN<sub>x</sub>/GaN構造を使った,GaNへの炭素の固相拡散

文献

J-GLOBAL ID：200902284824619816 整理番号：07A0351072

SiN_x/CN_x/GaN構造を使った,GaNへの炭素の固相拡散

Solid-Phase Diffusion of Carbon into GaN Using SiN_x/CN_x/GaN Structure

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資料名：
巻： 46 号： 8-11 ページ： L224-L226 発行年： 2007年03月25日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

電子サイクロトロン共鳴を利用した化学蒸着法によって調製したS...

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固体中の拡散一般 , 半導体薄膜

引用文献 (18件)：

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