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J-GLOBAL ID：200902285259831551   整理番号：09A0383071

Si(110)基板上に成長した3C-SiC(111)薄膜上のグラフェン形成

Graphene Formation on a 3C-SiC(111) Thin Film Grown on Si(110) Substrate

著者 (5件)： SUEMITSU Maki (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., JPN) ,  SUEMITSU Maki (CREST, Japan Sci. and Technol. Agency, JPN) ,  MIYAMOTO Yu (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., JPN) ,  HANDA Hiroyuki (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., JPN) ,  KONNO Atsushi (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., JPN)
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 7  ページ： 311-313 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC基板のUHVアニールによって形成されるエピタキシャルグラフェン(EG)は工業的な適応性によって最近注意されつつある。六方晶SiCバルク基板だけがこの目的に用いられてきたが,Si基板上に構築した3C-SiC仮想基板の使用における利点は大きい可能性がある。モノメチルシランを用いる気体原料分子線エピタキシーによってSi(110)基板上に予め形成した3C-SiC(111)仮想基板上にグラフェン膜を作製することに成功した。この構成における幾何学的整合はSiC膜中の歪みを大いに抑制し,グラフェンの形成のこの成功に関連していた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラファイト ,  *エピタクシー ,  ケイ素 ,  炭化ケイ素 ,  焼なまし ,  高真空 ,  歪 ,  *グラフェン ,  3C-炭化ケイ素
準シソーラス用語： *エピタキシャル成長 ,  アニール ,  3C-SiC

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

物質索引 (1件)： メチルシラン

引用文献 (16件)：

• [1] K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science, 306, 666 (2004).
• [2] A. J. van Bommel, J. E. Crombeen, and A. Van Tooren, Surf. Sci. 48, 463 (1975).
• [3] C. Riedl, U. Starke, J. Bernhardt, M. Franke, and K. Heinz, Phys. Rev. B 76, 245406 (2007).
• [4] C. Faugeras, A. Nerrière, M. Potemski, A. Mahmood, E. Dujardin, C. Berger, and W. A. de Heer, Appl. Phys. Lett. 92, 011914 (2008).
• [5] E. Rolling, G.-H. Gweon, S. Y. Zhou, B. S. Mun, J. L. McChesney, B. S. Hussain, A. V. Fedorov, P. N. First, W. A. de Heer, and A. Lanzara, J. Phys. Chem. Solids 67, 2172 (2006).

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  成長 ,  3C-SiC ,  薄膜 ,  グラフェン