AlNバッファ層付きLiNbO<sub>3</sub>(0001)ステップ基板上のGaNヘテロエピタキシャル成長

TSUCHIYA Yousuke; KOBAYASHI Atsushi; OHTA Jitsuo; OHTA Jitsuo; FUJIOKA Hiroshi; FUJIOKA Hiroshi; OSHIMA Masaharu

文献

J-GLOBAL ID：200902285921281117 整理番号：05A1011330

AlNバッファ層付きLiNbO₃(0001)ステップ基板上のGaNヘテロエピタキシャル成長

GaN heteroepitaxial growth on LiNbO₃(0001) step substrates with AlN buffer layers

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=05A1011330&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A1011330&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0774A") }}

著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 202 号： 13 ページ： R145-R147 発行年： 2005年10月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

GaN膜を低温AlNバッファ層を載せた原子論的に平坦なLiN...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A1011330&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0774A") }}

薄膜一般

, , , ,

前のページに戻る

AlNバッファ層付きLiNbO3(0001)ステップ基板上のGaNヘテロエピタキシャル成長

AlNバッファ層付きLiNbO₃(0001)ステップ基板上のGaNヘテロエピタキシャル成長