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J-GLOBAL ID：200902286159684329   整理番号：08A0241455

高周波素子応用のためのスピンスプレイZnフェライト膜の透磁率と電気抵抗率

Permeability and electric resistivity of spin-sprayed Zn ferrite films for high-frequency device applications

著者 (4件)： FUJIWARA A. (Dep. of Physical Electronics, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 O-Okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, JPN) ,  TADA M. (Dep. of Physical Electronics, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 O-Okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, JPN) ,  NAKAGAWA T. (Dep. of Physical Electronics, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 O-Okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, JPN) ,  ABE M. (Dep. of Physical Electronics, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 O-Okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, JPN)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 320  号： 8  ページ： L67-L69  発行年： 2008年04月 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水溶液処理を用いたスピンスプレイフェライトめっきによってポリイミドおよびガラス基板上に90°CでZn_xFe_3-xO₄(0≦x≦0.97)膜を作製し,複素透磁率(μ=μ’-jμ”)を測定した。Zn含有量xが0から0.70まで増加すると静透磁率μ_sは14から119まで増加するが,自然共振周波数f_rは1GHzから200MHzまで低下する。これは,磁気異方性磁場が飽和磁化よりも急激に減少するからである。xが増加するに連れて直流電気抵抗率ρが増加し,x>0.15になると高周波応用のための低極限尺度である50Ωcmを越える。x=0.70膜は20MHzまで比較的高いμ’=119とμ”=0を示し,MHzコアインダクタとしての使用が有望である。x=0.36膜は100MHzまで比較的高いμ’=80とμ”=0を示し,10MHz域でのインダクタおよび100MHz域での雑音抑止シートとして用いることができる。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 磁性薄膜 ,  *亜鉛フェライト ,  *透磁率 ,  *電気抵抗率 ,  磁気異方性 ,  飽和磁化 ,  *スピンコーティング ,  HF【周波数】
準シソーラス用語： スピンスプレイ ,  高周波

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高周波 ,  応用 ,  Zn ,  フェライト ,  透磁率 ,  電気抵抗率