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J-GLOBAL ID：200902287042574537   整理番号：08A0988130

高品質のヘテロ界面を持つエピタキシャル成長させた強磁性Fe₃Si/Si(111)構造

Epitaxial ferromagnetic Fe₃Si/Si(111) structures with high-quality heterointerfaces

著者 (6件)： HAMAYA K. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  UEDA K. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  KISHI Y. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  ANDO Y. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  SADOH T. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  MIYAO M. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 13  ページ： 132117  発行年： 2008年09月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンを基本とするスピントロニクス素子を開発するために,高品質の強磁性Fe₃Si/シリコン(Si)構造の特性を研究した。130°Cにおける低温での分子ビームエピタクシーを用いて,Si(111)上に急峻な界面を持つ強磁性Fe₃Si層をエピタキシャル成長させた。成長させたFe₃Si層は秩序化したDO₃相を持つことが分かった。Fe₃Si/Si(111)に関する磁性および電気的性質の測定から,室温における磁気モーメントは3.16μ_B/f.uで,理想因子が1.08の整流性を持つSchottkyダイオード特性を示すことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *鉄化合物 ,  強磁性体 ,  鉄合金 ,  ケイ素含有合金 ,  MBE成長 ,  *半導体金属接合 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  磁気モーメント ,  因子 ,  Schottky障壁 ,  Schottky障壁ダイオード ,  *ケイ化鉄 ,  理想因子

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高品質 ,  ヘテロ界面 ,  エピタキシャル成長 ,  強磁性 ,  Si