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J-GLOBAL ID：200902287999580059   整理番号：08A0575254

β-Ga₂O₃の電気伝導度とSiのドーピングによるキャリヤ濃度の制御

Electrical conductivity and carrier concentration control in β-Ga₂O₃ by Si doping

著者 (5件)： VILLORA Encarnacion G. (National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN) ,  SHIMAMURA Kiyoshi (National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN) ,  YOSHIKAWA Yukio (Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima-ku, Tokyo 176-0022, JPN) ,  UJIIE Takekazu (Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima-ku, Tokyo 176-0022, JPN) ,  AOKI Kazuo (Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima-ku, Tokyo 176-0022, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 20  ページ： 202120  発行年： 2008年05月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： β-Ga₂O₃の電気伝導はこれまで酸素欠損によって支配されると考えられていた。その場合,ドナーは多分酸素空格子であろう。しかし本稿では,Siのドーピングによって伝導度が3桁に亘って任意に制御できることを示す。10¹⁶~10¹⁸cm^-3の間で変化する自由キャリヤの濃度は,有効Siドナーの25%~50%に相当する。本稿で研究したドーピングレベルのSiは,粉末Ga₂O₃における主な不純物なので,β-Ga₂O₃の電気伝導度は主にSi不純物によって支配され,酸素空格子の寄与は小さいことを結論づけることができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *電気伝導率 ,  *ドーピング ,  ケイ素 ,  キャリア密度 ,  化学量論 ,  空格子点 ,  ドナー ,  濃度依存性 ,  不純物 ,  不純物濃度

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： β-Ga2O3 ,  電気伝導度 ,  Si ,  ドーピング ,  キャリヤ濃度