Hf/Al組成比を調整して得られたHfAlO<sub>x</sub>(N)を有する相補型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける対称なしきい値電圧

KADOSHIMA Masaru; OGAWA Arito; OTA Hiroyuki; IWAMOTO Kunihiko; TAKAHASHI Masashi; MISE Nobuyuki; MIGITA Shinji; IKEDA Minoru; SATAKE Hideki; NABATAME Toshihide; TORIUMI Akira

文献

J-GLOBAL ID：200902288068331965 整理番号：06A0195751

Hf/Al組成比を調整して得られたHfAlO_x(N)を有する相補型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける対称なしきい値電圧

Symmetrical threshold voltage in complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with HfAlOx(N) achieved by adjusting Hf/Al compositional ratio

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Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

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巻： 99 号： 5 ページ： 054506-054506-6 発行年： 2006年03月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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