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J-GLOBAL ID：200902288149996660   整理番号：09A0735562

ステップ・アンド・フラッシュ インプリントリソグラフィー

A Decade of Step and Flash Imprint Lithography

著者 (1件)： WILLSON C. Grant (Univ. Texas, Texas, USA)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 22  号： 2  ページ： 147-153  発行年： 2009年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ステップ・アンド・フラッシュ インプリントリソグラフィー(SFIL)は10年前最初に報告された。この10年間,多くの面で技術は進歩した。商業的な供給者が精巧なインプリントツールを販売しており,高分解能のテンプレートがベンダーの数社から購入できる。材料とプロセスは進歩し,サブ10nmレベルの構造,逆トーンプリント,ディスクドライブ基板の両面にプリントでき,CMOSの描画生産を効率的にでき,フォトニック結晶,絶縁体用にテーラーメードされた機能性材料にプリントできるようになった。多領域にわたり非常に進歩したが,欠陥の問題,プロセスの生産性の問題が残っている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  押付成形 ,  *パターン形成 ,  *鋳型効果 ,  フォトニックバンドギャップ ,  絶縁材料 ,  プリント基板 ,  分子モデル ,  分子認識 ,  絶縁体
準シソーラス用語： SFIL ,  インプリントリソグラフィー ,  分子インプリント

分類 (1件)： 写真製版  (ZA05020E)

引用文献 (22件)：

• M. Colburn, S. Johnson, S. Damle, T Bailey, B. Choi, M. Wedlake,; T. Michaelson, S. V. Sreenivasan, J. Ekerdt,. and C. G. Willson, Proc. SPIE, 3676(1999)379-389.
• B. J. Choi, S. Johnson, M. Colburn, S. V. Sreenivasan, C. G. Willson, Journal of Int. Societies for Precision Engineering and Nanotechnology, 25(3),(2001)192-199.
• M. Colburn, B. J. Choi, S. V. Sreenivasan, R. Bonnecaze, C. G. Willson, Microelectronic Engineering, 75(3)(2004)321-329.
• S. Reddy, R. Bonnecaze, Microelectronics Engineering, 82,(2005)60-70.
• T. Bailey, B. J. Choi, M. Colburn, M. Meissl, S. Shaya; J. Ekerdt, S. V. Sreenivasan, C. G. Willson, J. Vac. Sci. Technol., B.18(6)(2000)3572-3577.

タイトルに関連する用語 (2件)： フラッシュ ,  インプリントリソグラフィー