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J-GLOBAL ID：200902288464685206   整理番号：09A0552296

オゾンによるシリコン酸化

Silicon oxidation by ozone

著者 (4件)： FINK Christian K (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  NAKAMURA Ken (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ICHIMURA Shingo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  JENKINS Stephen J (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 21  号： 18  ページ： 183001,1-19  発行年： 2009年05月06日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オゾンによるシリコン酸化をレビューした。ここ20年で開発されたオゾン発生器,オゾンで成長した酸化シリコンの特性,および酸化成長過程の詳細を説明した。オゾンに曝露した成長したSiO₂は,亜酸化物遷移層と歪が減少する。オゾン中の酸化物成長速度は面する結晶ファセットに依存しない。酸化は水素パッシベート層があっても容易に起こる。

シソーラス用語： *オゾン ,  *ケイ素 ,  ファセット ,  格子歪 ,  *酸化ケイ素 ,  水素化物 ,  成長速度 ,  *接触酸化 ,  薄膜成長 ,  半導体材料 ,  不動態皮膜 ,  誘電体薄膜 ,  化学装置
準シソーラス用語： オゾン発生機

分類 (2件)： 酸化,還元  (CF02060T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： オゾン ,  シリコン ,  酸化