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J-GLOBAL ID：200902288488507732   整理番号：09A0208513

Auソース/ドレーン電極を有するポリ(ビニルアルコール)で被覆したTa₂O₅ゲート誘電体上に作ったペンタセン電界効果トランジスタの両極性動作の起源

Origin of the ambipolar operation of a pentacene field-effect transistor fabricated on a poly(vinyl alcohol)-coated Ta₂O₅ gate dielectric with Au source/drain electrodes

著者 (4件)： TAKEBAYASHI Satoko (Dep. of Chemistry, Saitama Univ., 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama 338-8570, JPN) ,  ABE Shigeomi (Dep. of Chemistry, Saitama Univ., 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama 338-8570, JPN) ,  SAIKI Koichiro (Dep. of Complexity Sci. and Engineering, The Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8561, JPN) ,  UENO Keiji (Dep. of Chemistry, Saitama Univ., 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama 338-8570, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 8  ページ： 083305  発行年： 2009年02月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Auソース/ドレーン電極を使いポリ(ビニルアルコール)(PVA)被覆Ta₂O₅ゲート誘電体上にペンタセン電界効果トランジスタ(FET)を作った。真空においてFETをアニールする前後に装置特性を調べた。アニール化する前に,ペンタセンFETは,0.1cm²V^-1s^-1のホール移動度と,0.005cm²V^-1s^-1の電子移動度で両極性動作を示した。しかし50°Cのアニールした後に p型動作特性はほとんど減少し,そして,強化したn型動作を観察した。PVAでのNa⁺イオンは,Au/ペンタセン接合で,注入バリアの特性を変え,n型動作を可能にすると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *両極性拡散 ,  電極 ,  金 ,  *酸化タリウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  Hall移動度 ,  N型半導体 ,  障壁

分類 (1件)： 有機化合物の格子欠陥  (BK12060M)

タイトルに関連する用語 (10件)： Au ,  ソース ,  ドレーン ,  ビニルアルコール ,  Ta2O5 ,  ゲート誘電体 ,  ペンタセン ,  電界効果トランジスタ ,  両極性 ,  起源