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J-GLOBAL ID：200902288655185742   整理番号：03A0626998

単結晶CVDダイヤモンド層を用いた高電場用横方向p-i-p構造の作製と性質

Fabrication and properties of lateral p-i-p structures using single-crystalline CVD diamond layers for high electric field applications

著者 (4件)： IRIE M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ENDO S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WANG C L (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ITO T (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 12  号： 9  ページ： 1563-1568  発行年： 2003年09月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 10⁶V/cm以上の高電場でのダイヤモ...

シソーラス用語： *DLC膜 ,...
準シソーラス用語： 伝導帯 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 単結晶 ,  CVD ,  ダイヤモンド層 ,  高電場 ,  横方向 ,  作製 ,  性質