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J-GLOBAL ID：200902289236075330   整理番号：04A0867304

高周波マグネトロンスパッタ法によるSiC膜の機械的特性に及ぼす酸素分圧の影響

Effects of O₂ Gas Partial Pressure on Mechanical Properties of SiC Films Deposited by Radio Frequency Magnetron Sputtering

著者 (3件)： 藤山博一 (福岡工大 工) ,  李木経孝 (広島国際学院大) ,  天本祥文 (福岡工大 大学院工学研究科)
資料名： 福岡工業大学エレクトロニクス研究所所報  (Reports of the Electronics Research Laboratory, Fukuoka Institute of Technology)
巻： 21  ページ： 15-22  発行年： 2004年10月31日 
JST資料番号： Y0948A  ISSN： 0911-050X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高周波マグネトロンスパッタリング法により,Arガス中に酸素ガ...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高周波マグネトロンスパッタ法 ,  SiC ,  機械的特性 ,  酸素分圧