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J-GLOBAL ID：200902289684713770   整理番号：08A1026277

角度分解高分解能アナライザにより検出されたナノ結晶シリコン準バリスティック冷陰極からの電子放出における特殊なスペクトル特徴

Specific spectral features in electron emission from nanocrystalline silicon quasi-ballistic cold cathode detected by an angle-resolved high resolution analyzer

著者 (4件)： SAKAI Daisuke (Inst. of Material Sci. and Technol., Waseda Univ., 2-8-16 Nishiwaseda, Shinjuku-ku, Tokyo 169-0051, JPN) ,  OSHIMA Chunhei (Inst. of Material Sci. and Technol., Waseda Univ., 2-8-16 Nishiwaseda, Shinjuku-ku, Tokyo 169-0051, JPN) ,  OHTA Toshiyuki (Graduate School of Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, JPN) ,  KOSHIDA Nobuyoshi (Graduate School of Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 26  号： 5  ページ： 1782  発行年： 2008年09月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ±20°アクセプタンス角及び高エネルギー分解能をもつディスプレイ型アナライザを,ナノ結晶ポリシリコン準バリスティックエミッタにおける動作機構の分析に応用した。角度分解放出パターン及び対応するエネルギー分布を,10~20Vまでの範囲での印加素子電圧の関数として測定した。実験データは,エネルギースペクトルに二種類の放出バンドが存在することを示唆した。低エネルギーにおける一つの放出ピークは明確な方向性特徴を示したが,高エネルギーにおけるもう一つの放出ピークには,かなり大きい角度分散を観測した。後者の放出バンドの強度は,15Vより高い印加素子電圧の範囲で支配的となった。これらの結果を,素子のシリコンナノ構造とそこでの主キャリア輸送モードとの間の相関から説明できた。ここに述べた分析は,準バリスティック放出がナノ結晶シリコンダイオードにおける高エネルギー電子の場誘起生成に基づいているという,以前に提案したモデルを裏付けた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *ポリシリコン ,  *ナノ結晶 ,  弾道電子 ,  電子スペクトル ,  エネルギー分布 ,  電圧依存性 ,  ナノ構造 ,  運動エネルギー ,  *電界放出 ,  Fowler-Nordheimトンネリング
準シソーラス用語： アナライザ ,  キャリア輸送 ,  *シリコン ,  角度分解能 ,  *準バリスティック電子 ,  *冷陰極

分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 分解 ,  高分解能 ,  アナライザ ,  ナノ結晶シリコン ,  バリ ,  スティック ,  冷陰極 ,  電子放出 ,  スペクトル特徴