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J-GLOBAL ID：200902290076613001   整理番号：06A0604993

シリコン基板上に作製した配向性 AlN 薄膜の広帯域及び高温における圧電応答性

Wide-Band and High Temperature Piezoelectric Response of Aluminum Nitride Thin Films Prepared on Silicon Substrates

著者 (5件)： 大石康宣 (産業技術総合研究所実環境計測・診断研究ラボ) ,  岸和司 (産業技術総合研究所実環境計測・診断研究ラボ) ,  秋山守人 (産業技術総合研究所実環境計測・診断研究ラボ) ,  野間弘昭 (産業技術総合研究所実環境計測・診断研究ラボ) ,  諸藤ゆかり (産業技術総合研究所実環境計測・診断研究ラボ)
資料名： 日本セラミックス協会学術論文誌  (Journal of the Ceramic Society of Japan)
巻： 114  号： 1332  ページ： 722-724 (J-STAGE)  発行年： 2006年 
JST資料番号： F0382A  ISSN： 0914-5400  CODEN： JCSJEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高温高圧用の圧力センサとしてのAlN薄膜の特性を評価した。け...

シソーラス用語： 圧力センサ ,...

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分類 (3件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  分析機器  (CC02020S) ,  内燃機関一般  (PB02010R)

引用文献 (16件)：

• 1) Kawabe, T., Journal of The Society of Instrument and Control Engineers, Vol. 45, pp. 161-166 (2006) [in Japanese].
• 2) Mori, K., Journal of The Society of Instrument and Control Engineers, Vol. 45, pp. 167-176 (2006) [in Japanese].
• 3) Nakatsuka, T., Kadoike, T., Hoshino, M., Ishii, H., Gotthard, E., Kawa, T. and Enomoto, Y., Proceeding of Academic Meeting of The Society of Automotive Engineers of Japan, No. 1-99, pp. 13-16 (1999) [in Japanese].
• 4) Ooishi, Y., Noma, H., Kishi, K., Ueno, N., Akiyama, M. and Kamohara, T., J. Ceram. Soc. Japan, Vol. 113, pp. 700-702 (2005) [in Japanese].
• 5) Stubbs, D. A. and Dutton, R. E., JOM, Vol. 48, pp. 29-31 (1996).

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン基板 ,  作製 ,  配向性 ,  AlN ,  薄膜 ,  広帯域 ,  圧電応答