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J-GLOBAL ID:200902290076613001   整理番号:06A0604993

シリコン基板上に作製した配向性 AlN 薄膜の広帯域及び高温における圧電応答性

Wide-Band and High Temperature Piezoelectric Response of Aluminum Nitride Thin Films Prepared on Silicon Substrates
著者 (5件):
資料名:
巻: 114  号: 1332  ページ: 722-724 (J-STAGE)  発行年: 2006年 
JST資料番号: F0382A  ISSN: 0914-5400  CODEN: JCSJEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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高温高圧用の圧力センサとしてのAlN薄膜の特性を評価した。け...
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分類 (3件):
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セラミック・磁器の性質  ,  分析機器  ,  内燃機関一般 
引用文献 (16件):
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