基板上に分布したナノスケールY<sub>2</sub>O<sub>3</sub>島に起因する人工ピン止め中心の導入によるYBCO膜の臨界電流密度の増大

MATSUMOTO K; HORIDE T; OSAMURA K; MUKAIDA M; YOSHIDA Y; ICHINOSE A; HORII S

文献

J-GLOBAL ID：200902290700194841 整理番号：04A0896568

基板上に分布したナノスケールY₂O₃島に起因する人工ピン止め中心の導入によるYBCO膜の臨界電流密度の増大

Enhancement of critical current density of YBCO films by introduction of artificial pinning centers due to the distributed nano-scaled Y₂O₃ islands on substrates

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資料名：
巻： 16th 号： Pt.2 ページ： 1267-1271 発行年： 2004年
JST資料番号： L1458A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

量子化渦糸の人工ピン止め中心として,成膜過程で,基板に分布し...

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酸化物系超伝導体の物性 , 酸化物薄膜

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基板上に分布したナノスケールY2O3島に起因する人工ピン止め中心の導入によるYBCO膜の臨界電流密度の増大

基板上に分布したナノスケールY₂O₃島に起因する人工ピン止め中心の導入によるYBCO膜の臨界電流密度の増大