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J-GLOBAL ID:200902291944417318   整理番号:05A0827520

45nmノード対応の極薄VNバリヤを用いたCu/VN/SiOC/Si構造のナノ界面制御

Formation of Interfaces with Well-controlled Interfacial Reaction and Diffusion in Cu/VN/SiOC/Si System Using Ultra-thin VN Barrier
著者 (4件):
資料名:
巻: 105  号: 223(CPM2005 59-65)  ページ: 29-34  発行年: 2005年07月25日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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Si-ULSIにおける配線材料としてCuが用いられているが,...
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その他の無機化合物の薄膜 
引用文献 (13件):
  • The International Technology Roadmap for Semiconductors. http://member.itrs.net./Files/2001ITRS/home.htm. 2001
  • BEYER, G. Microelectronic Engineering. 2002, 64, 233
  • SUNG, W.-L. J. Electronic Materials. 2002, 31, 472
  • SHAMIYAN, D. Materials Today. 2004, 7, 34
  • KWON, K.-W. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 935
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