反応性イオンエッチング,スパッタリング及び化学蒸着を含む接触形成のためのトポグラフィーシミュレーション

TAKAGI S.; ONOUE S.; IYANAGI K.; NISHITANI K.; SHINMURA T.

文献

J-GLOBAL ID：200902291949314118 整理番号：05A0682258

反応性イオンエッチング,スパッタリング及び化学蒸着を含む接触形成のためのトポグラフィーシミュレーション

Topography simulations for contact formation involving reactive ion etching, sputtering and chemical vapor deposition

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=05A0682258&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0682258&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0974A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 23 号： 3 ページ： 1076-1083 発行年： 2005年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

半導体素子における接触形成を最適化するための接触シミュレーシ...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0682258&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0974A") }}

固体デバイス製造技術一般

, ,

前のページに戻る