光化学蒸着したSiO<sub>2</sub>層をもつAlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造金属-酸化物-光化学蒸着半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタの高温性能と低周波数ノイズ特性

WANG Chun-Kai; CHANG Shoou-Jinn; SU Yan-Kuin; CHIOU Yu-Zung; KUO Cheng-Huang; CHANG Chia-Sheng; LIN Tien-Kun; KO Tsun-Kai; TANG Jing-Jou

文献

J-GLOBAL ID：200902292643418110 整理番号：05A0535220

光化学蒸着したSiO₂層をもつAlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造金属-酸化物-光化学蒸着半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタの高温性能と低周波数ノイズ特性

High Temperature Performance and Low Frequency Noise Characteristics of AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructure Metal-Oxide-Semiconductor Heterostructure Field-Effect-Transistors with Photochemical Vapor Deposition SiO₂ Layer

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著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 44 号： 4B ページ： 2458-2461 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

光化学蒸着(光CVD)を用いて,AlGaN上に高品質のSiO...

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トランジスタ

引用文献 (29件)：

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5) G. Simin, A. Koudymov, H. Fatima, J. Zhang, J. Yang, M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, R. Gaska and M. S. Shur: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 458.

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光化学蒸着したSiO2層をもつAlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造金属-酸化物-光化学蒸着半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタの高温性能と低周波数ノイズ特性

光化学蒸着したSiO₂層をもつAlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造金属-酸化物-光化学蒸着半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタの高温性能と低周波数ノイズ特性