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J-GLOBAL ID：200902292739969215   整理番号：09A0033553

エピタキシャルAl₂O₃/Si構造の耐放射線性に関する研究

著者 (6件)： 葉山清輝 (熊本電波工高専) ,  岩村義明 (熊本電波工高専) ,  高倉健一郎 (熊本電波工高専) ,  大山英典 (熊本電波工高専) ,  澤田和明 (豊橋技科大) ,  石田誠 (豊橋技科大)
資料名： 熊本電波工業高等専門学校研究紀要(CD-ROM)  (Research Reports of Kumamoto National College of Technology (CD-ROM))
号： 35  ページ： 11-13  発行年： 2008年12月 
JST資料番号： X0835B  ISSN： 1349-4694  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MOMBE法によるSi基板上へのAl₂O₃膜の形成は,将来の微細MOSFETのhigh-kゲート絶縁材料の候補の一つである。MOCVD法によって十分に絶縁性のある薄いAl₂O₃膜の成長は難しいが,成長後のアニールにより電気的絶縁性が改善されることが報告された。一方,宇宙空間や原子炉内など,高エネルギー粒子が存在する環境においても正常に動作する半導体デバイスの開発が世界中で行われている。こうした中で,高誘電率材料への応用として,γ-Al₂O₃薄膜の照射損傷を調べることは重要である。本報告では,MOCVDで成長されたエピタキシャルγ-Al₂O₃薄膜の電子線照射損傷について検討した。そして,Al₂O₃/Si薄膜を酸化時間を変えて照射損傷に対する効果をDLTS法により評価した。その結果,Al-Al₂O₃-Si MIS構造の漏れ電流が照射によって減少する傾向にあることがわかった。DLTS(deep level transient spectroscopy)はpn接合の逆バイアス時の空乏層容量の過渡応答を利用して,半導体材料中の結晶欠陥を検出するものであるが,MOS構造でもバイアス条件によって空乏層が形成されることを利用して,MOS構造おける界面準位やバルク本体に導入された格子欠陥の評価にも有効である。本研究でも照射前後に電気的特性と一緒にDLTS測定を行ない,Al₂O₃/Si界面領域の評価にはDLTS法が有効であることも示した。

シソーラス用語： *耐放射線性 ,  *誘電体薄膜 ,  *酸化アルミニウム ,  *照射損傷 ,  電子照射 ,  MOMBE ,  エピタクシー ,  MOSFET ,  誘電体 ,  *深準位過渡分光法 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： 高k誘電体

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル ,  Al2O3 ,  Si ,  耐放射線性 ,  研究