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J-GLOBAL ID：200902293173624483   整理番号：04A0693082

HWCVD法によるAlドープ微結晶3C-SiC:H薄膜の低温堆積

著者 (5件)： 芳賀渓介 (東京工大 院) ,  宮島晋介 (東京工大 院) ,  綿引達郎 (東京工大 院) ,  山田明 (東工大 量エレ研) ,  小長井誠 (東京工大 院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 65th  号： 2  ページ： 800  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： ホットワイヤCVD

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

物質索引 (2件)： メチルシラン ,  トリメチルアルミニウム

タイトルに関連する用語 (8件)： HWCVD ,  Al ,  ドープ ,  微結晶 ,  3C-SiC ,  薄膜 ,  低温 ,  堆積