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J-GLOBAL ID：200902293214054590   整理番号：05A0172296

2nmゲート酸化膜の先進的CMOS技術におけるNBTIとPBTI下での界面トラップ発生とホールトラッピング

Interface Trap Generation and Hole Trapping Under NBTI and PBTI in Advanced CMOS Technology With a 2-nm Gate Oxide

著者 (7件)： DENAIS M (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  HUARD V (Philips Semiconductors, Crolles, FRA) ,  PARTHASARATHY C (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  RIBES G (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  PERRIER F (Philips Semiconductors, Crolles, FRA) ,  REVIL N (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  BRAVAIX A (ISEN, Toulon, FRA)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 4  号： 4  ページ： 715-722  発行年： 2004年12月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS素子の信頼性に関して,新しい故障モードが素子の回路性...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： NBTI ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート酸化膜 ,  CMOS技術 ,  NBTI ,  PBTI ,  界面トラップ ,  ホール ,  トラッピング