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J-GLOBAL ID：200902293476009048   整理番号：05A0995590

ほう素をドープした(111)表面上でのミクロンサイズのゲート長さを有するダイヤモンドMISFETの作製

Fabrication of diamond MISFET with micron-sized gate length on boron-doped (111) surface
著者 (7件)：
SAITO Takeyasu

SAITO Takeyasu について

(Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN について

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PARK Kyung-ho

PARK Kyung-ho について

(Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN について

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HIRAMA Kazuyuki

HIRAMA Kazuyuki について

(Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN)

Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN について

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UMEZAWA Hitoshi

UMEZAWA Hitoshi について

(Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN)

Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN について

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SATOH Mitsuya

SATOH Mitsuya について

(Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN)

Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN について

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KAWARADA Hiroshi

KAWARADA Hiroshi について

(Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN)

Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN について

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OKUSHI Hideyo

OKUSHI Hideyo について

(Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN について


資料名：
Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)

Diamond and Related Materials について


巻： 14  号： 11-12  ページ： 2043-2046  発行年： 2005年11月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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(111)上にBをドープしたダイヤモンドの水素化表面伝導層を...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ホウ素

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (7件)：
タイトルに関連する用語
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ほう素

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ドープ

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ミクロンサイズ

ミクロンサイズ について

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ゲート

ゲート について

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ダイヤモンド

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MISFET

MISFET について

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作製

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