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J-GLOBAL ID：200902294121322124   整理番号：04A0447971

磁気ナノドットのある新規不揮発性メモリの提案

Proposal of New Nonvolatile Memory with Magnetic Nano-Dots

著者 (8件)： SAKAGUCHI T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HONG Y-G (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KOBAYASHI M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKATA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHOI H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHIM J-C (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KURINO H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KOYANAGI M (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 4B  ページ： 2203-2206  発行年： 2004年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気ナノドット(MNDs)のある新規不揮発性メモリを提案した...

シソーラス用語： *強磁性体 ,...

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分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (7件)：

• 1) C. Golla and S. Ghezz: Microelectron. & Reliab. <B>38</B> (1998) L179.
• 2) P. Canet, R. Bounchakour, N. Harabech, Ph. Boivin, J. M. Mirabel and C. Possu: J. Non-Cryst. Solids 280 (2001) 116.
• 3) S. Tehrani, J. M. Slaughter, E. Chen, M. Durlam, J. Shi and M. DeHerrera: IEEE Trans. Magn. 35 (2000) L2814.
• 4) S. S. P. Parkin, K. P. Roche, M. G. Samant, P. M. Rice, R. B. Beyers and R. E. Scheuerlein: J. Appl. Phys. 85 (1999) 5828.
• 5) S. Tehrani, B. Engel. J. M. Slaughter, E. Chen, M. DeHerrera, M. Durlam, P. Naji, R. Whig, J. Janesky and J. Calder: IEEE Trans. Magn. 36 (2000) L2752.

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁気 ,  ナノドット ,  不揮発性メモリ ,  提案